Физик. Академик РАН (2006, член-корреспондент с 2000), в 2008—2017 гг. её вице-президент и председатель Сибирского отделения (СО) РАН. В 1998—2013 гг. директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.
Родился 24 сентября 1946 г. в г. Улан-Удэ; в 1968 г. окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (НГУ), доктор физико-математических наук; после окончания НГУ начал работать в ИФП им. А.В.Ржанова, а в 2003 г. возглавил этот институт; специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур; член научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии, заместитель председателя объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН, член бюро совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, член ученого совета НГУ, член редколлегий ведущих научных российских и международных журналов; в 1996-2005 годах входил в состав совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия); 1 июня 2008 г. в Москве на общем собрании РАН был избран председателем СО РАН (обошел действующего председателя СО РАН академика Н.Добрецова с большим отрывом, получив 144 голоса против 95).
