Член-корреспондент РАН (2006), член Бюро Отделения физических наук РАН, директор Института физики твердого тела РАН; родился 3 октября 1949 г.; физик-экспериментатор, специалист в области физики полупроводников; широко известен своими пионерскими работами в области электронных свойств дислокаций и других протяженных дефектов в полупроводниках; внес существенный вклад в развитие "инженерии дефектов" в кремнии с дислокациями, имеющей большое практическое значение для современной солнечной энергетики.
